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ESM15GD120DLC英飞凌IGBT整流桥模块

2020-04-22 02:39:02  381次浏览 次浏览
价 格:450

特点

●IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点。

●具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点。

●具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。

封装材料 IGBT封装

散热功能 不带散热片

额定正向平均电流 25(A)

反向重复峰值电压 1200V(V)

稳定工作电流 25(A)

功率特性 中功率

关断速度 高频(快速)

极数 三极

频率特性 高频

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